台积电“日本第二厂”确定升级:2028年量产3纳米芯片!

台积电“日本第二厂”确定升级:2028年量产3纳米芯片!

台积电宣布其在日本熊本的第二晶圆厂将升级为3纳米制程,预计2028年量产,标志着日本首次具备先进3纳米芯片生产能力。该厂总投资增至170亿美元,超越原计划的6纳米布局,凸显台积电在全球先进制程产能扩张中的关键战略。此举措将助力AI与高性能计算产业发展。

2026-04-01 16:33
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2026年6.25万台人形机器人将进驻8家代工厂

2026年6.25万台人形机器人将进驻8家代工厂

文章探讨了2026年人形机器人行业的发展趋势,重点分析了智元机器人和宇树科技的量产策略,以及代工厂在产业链中的关键作用。文章指出,随着出货量快速增长,代工模式正成为行业竞争的新变量,并列举了蓝思科技等代工厂的案例。

2026-04-01 13:13
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国产硅锗单光子雪崩二极管芯片研发成功

国产硅锗单光子雪崩二极管芯片研发成功

西安电子科技大学胡辉勇教授团队成功研制出基于硅锗工艺的单光子雪崩二极管(SPAD)芯片,大幅降低短波红外探测技术成本。这项突破使高端芯片有望以百分之一的成本应用于智能手机、车载激光雷达等领域,解决了传统铟镓砷材料成本高、与硅基工艺不兼容的难题。

2026-04-01 11:24
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中东冲突影响氦气供应 韩国库存可维持半年 芯片供应链受波及

中东冲突影响氦气供应 韩国库存可维持半年 芯片供应链受波及

中东局势动荡冲击全球氦气供应,卡塔尔设施受损致产能受阻,韩国虽库存充足可撑至6月,但芯片巨头三星、SK海力士已面临生产扰动。企业正高价采购美国氦气以保供应,供应链风险凸显。

2026-03-31 19:30
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内存价格暴跌真相:现货市场情绪波动 存储芯片仍供不应求

内存价格暴跌真相:现货市场情绪波动 存储芯片仍供不应求

近期内存条价格波动引发热议,但实际存储芯片市场依然紧俏。文章揭示了内存条价格下跌主要受现货市场情绪影响,而合约市场仍保持供应紧张和价格上涨趋势。分析指出,AI基础设施需求激增导致存储芯片产能转向高利润领域,消费电子市场面临压力。

2026-03-31 14:46
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内存条价格暴跌真相:现货市场情绪扰动 存储芯片供应仍紧张

内存条价格暴跌真相:现货市场情绪扰动 存储芯片供应仍紧张

尽管内存条价格在现货市场出现明显回落,引发“闪崩”热议,但业内人士指出,这更多是渠道情绪与短期出货行为所致。实际存储芯片仍处于严重紧缺状态,合约市场价格持续上行,AI需求驱动下产能紧张局面预计将持续至2027年。谷歌新论文带来的技术优化并未改变整体存储需求旺盛的格局。

2026-03-31 12:19
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华强北手机涨价潮来袭 中低端机型涨幅达30%或延续三年

华强北手机涨价潮来袭 中低端机型涨幅达30%或延续三年

2026年手机市场迎来涨价潮,中低端机型涨幅高达30%,OPPO、vivo、荣耀等品牌纷纷调价,而华为、苹果凭借供应链优势暂未跟进。文章深入华强北市场,揭示AI算力需求引发的存储芯片‘虹吸效应’是涨价主因,并分析了国产手机厂商在核心元器件上缺乏自主权的困境。

2026-03-31 10:57
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内存价格暴跌拖累兆易创新股价重挫6%

内存价格暴跌拖累兆易创新股价重挫6%

受存储芯片现货市场价格显著回落影响,港股存储芯片概念股集体走低,兆易创新跌超6%。DDR5内存条价格大幅下挫,商户出现抛售行为,主要因消费级市场需求不振和投机性库存压力。海外市场同步调整,谷歌新技术突破或影响未来存储需求。

2026-03-31 10:24
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谷歌Pixel 11渲染图流出 设计小幅调整配Tensor G6芯片

谷歌Pixel 11渲染图流出 设计小幅调整配Tensor G6芯片

谷歌 Pixel 11 手机渲染图曝光,设计微调,屏幕边框收窄,后置摄像头模组采用全玻璃包裹设计。新机预计搭载 Tensor G6 芯片,可能改用联发科基带,预计今年8月发布。

2026-03-31 10:14
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兆易创新2025年净利大增49% 存储芯片毛利攀升

兆易创新2025年净利大增49% 存储芯片毛利攀升

兆易创新2025年归母净利润同比增长49.47%,营收首次突破90亿元,存储芯片毛利率提升至42.84%。公司受益于行业供需优化及技术迭代,汽车电子与AI相关业务加速落地,国际化布局持续推进,并计划在2026年确认19.76亿元收入,展现强劲增长潜力。

2026-03-31 00:41
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澜起科技2025年营收54.56亿增长近50% AI芯片放量助推业绩

澜起科技2025年营收54.56亿增长近50% AI芯片放量助推业绩

澜起科技2025年年度报告显示,公司营收达54.56亿元,同比增长近50%。AI产业趋势推动互连类芯片需求旺盛,DDR5相关产品及PCIe Retimer芯片出货量显著增长,成为业绩增长主要驱动力。公司持续投入研发,推出多款高性能芯片产品,巩固在存储互联领域的领先地位。

2026-03-30 23:59
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外资成芯片设计ETF头号持有人 年内首现ETF上市新动态

外资成芯片设计ETF头号持有人 年内首现ETF上市新动态

文章报道了外资机构巴克莱银行首次成为年内新上市ETF的第一大持有人,重点关注国泰上证科创板芯片设计主题ETF的持仓情况。同时分析了外资机构在A股ETF市场的调仓动向,包括对新发和存量ETF的布局策略,以及不同产品的表现差异。

2026-03-30 18:49
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内存条价格暴跌 单日跌幅超百元引发抛售潮

内存条价格暴跌 单日跌幅超百元引发抛售潮

DDR5内存价格近期出现大幅回落,美国市场单套最高降幅达100美元,国内市场价格也断崖式下跌。文章分析了内存价格暴跌的原因,包括市场供需失衡和前期囤货者的集中抛售,对游戏玩家和内容创作者等用户群体产生重要影响。

2026-03-30 08:51
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湖北重点实验室研发出高能效忆阻存算一体芯片

湖北重点实验室研发出高能效忆阻存算一体芯片

先进存储器湖北省重点实验室在忆阻存算一体芯片领域取得重大突破,研发了三维忆阻阵列设计、任意精度存算宏单元和全栈软硬件协同开发平台,实现从器件到应用的全链条创新。研究成果在顶级期刊发表35篇论文,核心技术专利转化19项,显著提升我国在先进存储与计算领域的国际话语权。

2026-03-29 20:56
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Arm进军数据中心市场 自研芯片挑战巨头

Arm进军数据中心市场 自研芯片挑战巨头

Arm首次进军芯片制造领域,发布专为AI数据中心设计的Arm AGI CPU,采用台积电3纳米工艺,性能远超x86平台。此举旨在解决数据中心能效瓶颈,预计2024年下半年商用。文章分析了Arm的战略转变、市场前景及潜在竞争。

2026-03-27 13:59
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