《科创板日报》5月29日讯（编辑 宋子乔） 在继今年2月率先实现HBM4的量产商用后，三星再度于下一代AI存储赛道中保持领跑地位。今日，三星电子正式宣布，已开始向主要的全球客户交付业内首批的12层48GB HBM4E样品。在完成初步样品的交付和优化工作之后，三星计划依据客户的进度安排，开始HBM4E的批量生产。

此外，三星已针对产品阵容的扩展制定了相应规划，后续还将推出8层32GB型号以及16层64GB型号，从而满足不同客户在算力方面的多样化需求。

高带宽存储器（HBM）作为AI加速芯片的核心配套部件，其带宽与容量可以直接决定AI模型在训练以及推理环节当中的效率表现。目前，HBM市场主要由三星、SK海力士以及美光这三家厂商所主导。在此之前，SK海力士于HBM3与HBM3E阶段占据了较为显著的先发优势。

三星电子自2015年正式进入高带宽内存（HBM）技术领域，其产品经历了十代技术迭代与升级。在2026年2月，三星成功实现了HBM4的量产，从而成为全球首家完成HBM4大规模商业化生产的企业。

据三星方面介绍，作为HBM4所衍生出的迭代升级产品，12层HBM4E采用了第六代10纳米（nm）级DRAM工艺1c以及三星晶圆代工所生产的4nm逻辑基片，在性能、容量、能效以及散热等多个方面均实现了大幅度的提升，专为大语言模型、生成式人工智能以及高性能计算等应用场景所打造，与HBM4相比——

性能：在性能表现方面，HBM4E能够提供稳定的14 Gbps引脚传输速度，其性能具备向16 Gbps进行扩展的能力，以此来满足日益增长的数据处理需求；与HBM4相比，整体性能提升超过20%，同时每个堆栈的内存带宽可达3.6 TB/s，有助于最大限度地提高大模型以及下一代人工智能系统的计算性能。

容量方面，HBM4E具备了48GB的存储容量，相较于上一代产品，其容量实现了超过30%的提升。此外，三星计划依据客户需求来扩展产品线，后续将推出32GB容量的8层型号以及64GB容量的16层型号。

在能效与散热方面，其低功耗设计以及封装方面的优化工作，共同使得能效获得了16%的提升，热阻这一关键参数也得到了超过14%的改善，散热效率也因此获得了显著的增强，从而能够有效降低人工智能数据中心在高负载运行条件下的整体能耗。

在HBM市场当中，三星、SK海力士以及美光正呈现出你追我赶的竞争态势，形成了三足鼎立的市场格局。

在当前HBM市场当中占据份额领先地位的SK海力士，其HBM4产品已于2025年9月顺利实现量产，而HBM4E方面则规划于2026年下半年启动送样工作，并计划于2027年进入量产阶段；其HBM4E产品将选用基于1c nm制程工艺的DRAM裸片，基础裸片方面则交由台积电借助3nm工艺来进行生产制造。与此同时，美光的HBM4产能爬坡工作的进展情况较为顺利，计划于2027年实现HBM4E的量产，根据相关消息显示，其HBM4E产品将采用10纳米级第六代1γ工艺，这也是美光方面首次将EUV光刻设备引入至量产工艺流程之中，基础裸片则交由台积电来进行代工制造。

TrendForce方面分析指出，上述三大供应商正逐步将产业重心由良率方面的竞争，转向定价权以及下世代规格主导权的争夺。尽管传统DRAM的利润率在短期内出现了反超HBM的情况，但供应商方面仍维持着较为均衡的产品组合配置，并且看好HBM长期合约价格持续走高的趋势。从横向对比的角度来看，当前除HBM以外的各类DDR产品以及消费级存储产品，在经历了前期多轮涨价之后，价格已整体处于相对高位的区间，而HBM的涨价红利则尚未得到充分的释放。

海通国际证券方面指出，随着2027年全球AI服务器出货量持续保持高速增长，以及HBM3e与HBM4产品迭代渗透进程的加速推进，叠加先进封装工艺以及良率方面的瓶颈仍在持续制约着供给端的释放，该机构对于HBM后续的涨价预期持乐观态度。

来源：AI存储竞争白热化！三星率先交付首批12层HBM4E样品 性能提升超20% | 财联社