6月11日晚间，芯联集成宣布计划通过合资方式，共同投资200亿元人民币用于建设一条12英寸的芯片生产线。该生产线的设计月产能达到5万片，其中芯联集成将出资30.12亿元人民币，占合资公司25.1%的股份。此消息公布后的次日，公司股价在市场中一度上涨超过15%。该项目的建设将重点围绕五大工艺平台，旨在一方面扩大高端电源管理芯片的产能以应对AI算力需求的快速增长，另一方面则继续扩产硅光芯片，以积极布局光互联技术领域。项目达成设计产能并投入运营后，公司将由此升级成为系统级代工厂商，具备为客户提供覆盖全链条的一站式代工服务能力。

在国内四大晶圆代工厂当中，中芯国际属于综合性晶圆代工厂商的范畴，华虹宏力则更侧重于特色工艺领域。晶合集成从显示驱动业务起步，并正在积极拓展CIS即摄像头传感器业务。而排名第四的芯联集成（SH688469，股价7.31元，市值612.77亿元），其主要收入来源于功率半导体，尤其是车规级功率半导体产品。

在人工智能浪潮的推动下，芯联集成也将其业务重心拓展至AI电源芯片以及光互联技术领域。

6月11日晚间，芯联集成通过公告的形式进行了披露，公司计划在浙江省绍兴市与相关合作方合资建设一条月产能达5万片的12英寸数模混合芯片生产线。该项目的计划总投资额约为200亿元人民币，其中芯联集成将出资30.12亿元，在合资公司中持股25.1%。

在6月12日市场开盘交易之后，芯联集成的股价一度经历了超过15%的大幅上涨，但随后出现了震荡回落的走势。

从功率芯片到一站式代工

芯联集成方面表示，公司计划与绍兴市杭绍临空经济一体化发展示范区绍兴片区管理委员会（以下简称"杭绍临空"）建立合作关系，共同签署《关于芯联先进集成电路制造（绍兴）有限公司之合资框架协议》，通过合资经营的方式设立芯联先进集成电路制造（绍兴）有限公司（以下简称"芯联先进"），将其定位为芯联12英寸车规级数模混合芯片制造项目（以下简称"四期项目"）的实施主体，负责建设一条月产能达5万片的12英寸集成电路车规级数模混合芯片生产线。该项目所涉及的主要技术方向与产品布局涵盖40/28纳米MCU/DSP微控制器与数字信号处理器、90/55纳米BCD与DrMOS等模拟电路芯片以及55纳米硅光与激光驱动芯片。其中BCD属于模拟IC的核心制造工艺，DrMOS则是一种将驱动器与MOSFET封装在同一模块中的高效功率解决方案。

根据公告披露的信息显示，该项目的整体计划总投资额约为200亿元人民币。在资金构成方面，其中资本金部分总额为120亿元，银行贷款额度为80亿元。具体而言，计划投入的资本金中，芯联集成方面拟出资30.12亿元，由杭绍临空牵头组建的地方产业基金以及其他联合投资主体计划投入30亿元，其余59.88亿元将来自其他市场化资金。

功率芯片通常被划分为功率半导体以及模拟IC（集成电路）两大类别。功率半导体，亦称功率器件，其构成核心主要包括MOSFET（金属-氧化物-半导体场效晶体管）与IGBT（绝缘栅双极晶体管），这正是芯联集成所擅长的技术领域。

在2025年年度报告中，芯联集成明确指出，公司已发展成为中国规模最大的车规级IGBT（绝缘栅双极晶体管）生产基地之一。在碳化硅（SiC）MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）这一关键领域，公司的出货量在亚洲范围内持续保持领先地位。公司是国内产业中率先完成主驱用SiC MOSFET产品技术攻关并实现批量供应的头部企业。至2025年，公司所生产的8英寸碳化硅晶圆产品已经成功实现了规模化量产与稳定出货。

此次扩产将主要聚焦于拓展模拟集成电路（IC）的核心制造工艺——BCD平台的产能。与此同时，功率芯片与微控制器（MCU）等控制芯片的集成度也在不断提升。

公司在其2025年年度报告中进一步阐明，在纵向布局方面，公司致力于逐步构建从功率器件、模拟集成电路（IC）、微控制器（MCU）直至系统级解决方案的全层级技术平台。这旨在形成一条明确的战略路径，即“功率器件—模拟IC—MCU—系统级代工方案”。通过打造这一完整的制造与服务链条，公司旨在全方位地响应客户需求，实现从提供单一芯片到交付完整应用方案的全链条代工服务，从而支持客户业务由点及面地拓展。

以其三电系统中的电控为例，该系统由控制系统与功率变换系统所构成。其中，控制系统的核心组件则是MCU（微控制器），而功率变换系统，其核心任务是实现高效的电能转换与管理，则主要依赖于功率半导体以及模拟IC（模拟集成电路）这两类关键器件。

在四期项目达成预定设计产能并投入稳定运营后，芯联集成将完成从单纯的功率半导体代工企业，向系统级代工厂商的角色升级。这一转变意味着公司得以构建起从功率半导体、模拟IC（集成电路）到MCU（微控制器）的完整代工服务体系，为客户提供全链条的一站式解决方案。

拓展AI电源、光互联业务

据悉，芯联集成四期项目重点布局于五大核心工艺平台。其中，除已提及的MCU与数模混合芯片平台外，该项目同时也涵盖了旨在支撑AI服务器高频电源管理需求的55纳米制造平台、专用于硅光芯片开发的55纳米平台，以及基于硅锗合金（SiGe）材料、面向光引擎应用的55纳米跨阻放大器和激光驱动芯片制造平台。

其中，55纳米AI服务器高频电源管理芯片制造平台专门用于服务AI服务器电源系统，可以为CPU/GPU（中央处理器与图形处理器）提供高功率密度的供电方案。公司正在积极扩产高端电源管理芯片的产能，从而应对全球AI算力爆发所产生的市场需求。

芯联集成在2025年年度报告中曾指出，在AI数据中心电源这一技术领域，伴随着各类大模型以及人工智能应用的不断涌现与持续迭代，全球范围内对于算力的需求呈现出显著的增长态势。这种需求的增长进而带动了数据中心建设规模的持续扩大、服务器部署数量的显著增加，以及单台服务器机柜功耗的不断攀升。业界普遍认为算力的尽头是电力，这意味着AI算力的持续扩张将有望不断推动市场对于具备高功率、高效率以及高稳定性特征的AI服务器电源产品的需求增长。

此外，AI大模型的运行有赖于算力、运力与存力三者的协同配合。其中，运力所依赖的核心基础设施之一，正是光模块——这一组件亦常被称为光互连。

据了解，该55纳米硅光芯片平台主要面向数据中心光互连、AI集群通信以及高速光模块这三大关键应用领域。在已实现一期8英寸硅光芯片大规模扩产，并完成三期基地12英寸90纳米硅光技术布局的基础上，四期项目将进一步建设和扩大55纳米硅光芯片的产能，从而深化在光互联技术领域的战略布局。而专为光引擎设计的55纳米SiGe跨阻放大器与激光驱动芯片平台，则全面覆盖了高速光模块在接收端与发射端所需要的核心电芯片。

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来源：瞄准AI电源、硅光芯片等，功率半导体代工龙头芯联集成启动200亿元四期项目 | 每日经济新闻