财联社7月15日讯（编辑 周子意）据业内人士向媒体爆料显示，三星电子计划在其器兴半导体园区之内建设一座新的DRAM制造工厂，规划月产能可以达到10万片晶圆，而项目总投资规模将达到数十万亿韩元。此举旨在抓住人工智能存储器需求激增所带来的机遇窗口。

三星电子器兴园区地处首尔南部，自1983年开始进行运营，是韩国所拥有的运营时间最长的半导体设施之一。1992年，该园区得以成为全球首个64Mb动态随机存储器（DRAM）的诞生之地，这标志着三星电子在半导体领域所确立的主导地位的开始。

近年来，该园区主要致力于对成熟工艺节点进行生产，其能力已得以达到8纳米工艺。

据称，该地块原本所规划的是用于建设研发中心，而此番得以调整为生产设施，市场方面普遍解读为三星电子为了应对人工智能基础设施投资热潮之下所持续攀升的存储芯片需求，而做出的产能布局调整。

这一拟建的DRAM晶圆厂所规划的月产能得以达到10万片晶圆，而项目总投资规模预计将会达到数十万亿韩元。据称，该项目最快可能于2026年第三季度正式启动动工。

受到这一消息的影响，三星电子周三（15日）的股价得以大幅上涨，涨幅超过了6%。

据了解，2022年三星在器兴园区之内得以动工兴建了一个名为NRD-K的大型研发中心，该中心所占用的面积约为10.9万平方米，投资金额约为20万亿韩元，预计在2028年至2030年期间可以完全建成。

该研发中心所配备的一条研发专用生产线已于2025年中期得以投入运营，其核心工作在于对新一代存储器以及系统半导体开展研发。此次计划新建的DRAM工厂，则是在这一研发中心之外，于园区内另行选择地块来进行建设的大规模生产设施。

从更为宏观的视角来看，三星电子正同时在多个基地推进产能扩张的相关工作。其平泽巨型园区目前是HBM生产的核心基地所在，而三星也在全罗南道的光州推进两座先进半导体晶圆厂的建设工作，总投资达到了400万亿韩元。此外，三星还计划将京畿道龙仁半导体集群内首座晶圆厂的投产时间提前至2029年。

在HBM领域方面，三星电子正试图追赶目前已在这一领域占据优势的SK海力士。三星电子近期也在其平泽P4工厂部署了一条月产能可以达到10万片晶圆的新产线，而这条产线可用于生产第六代HBM。

来源：三星加码AI存储：将于器兴园区新建DRAM工厂 规划月产10万片晶圆 | 财联社